IXFX30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFX30N110P, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 1100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 360
RDS(ON) 2,7 В,мОм 360
RDS(ON) 2,5 В,мОм 360
RDS(ON) 4.5 В,мОм 360
RDS(ON) 10 В,мОм 360
ID 30
PD,Вт 960
Корпус PLUS247

Общее описание

Datasheet
 
IXFK30N110P, IXFX30N110P (116.1 Кб), 14.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFK30N110P, IXFX30N110P Polar Power MOSFET HiPerFET (116.1 Кб), 14.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 630 Дата публикации: 14.02.2009 20:32
Дата редактирования: 17.01.2012 09:57


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019