Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFZ520N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 465 | 600 |
|
|
IXTH440N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 440 | 1000 |
|
|
IXTT440N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 1.8 | 440 | 1000 |
|
|
IRF1324S-7PPBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 24 | - | - | - | - | 800 | 429 | 300 |
D2-PAK |
|
IXFX420N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 420 | 1670 |
|
|
IXFK420N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 420 | 1670 |
|
|
IXTH420N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 420 | 935 |
|
|
IXFN420N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 420 | 1070 |
SOT-227 |
|
IXFH400N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 400 | 1000 |
|
|
IXFT400N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 2.3 | 400 | 1000 |
|
|
IRFS3004-7PPbF | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 0.9 | 400 | 380 |
D2-PAK-7 |
|
IRLS3034-7PPbF | 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 1.2 | 1 | 380 | 380 |
D2-PAK-7 |
|
BSP126 | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 2800 | 375 | 1.5 |
SOT-223-4 |
|
IXFK360N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.9 | 2.9 | 2.9 | 2.9 | 2.9 | 360 | 1250 |
|
|
IXFX360N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.9 | 2.9 | 2.9 | 2.9 | 2.9 | 360 | 1250 |
|
|
IXFN360N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 360 | 830 |
SOT-227 |
|
IXTH360N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 2.4 | 2.4 | 2.4 | 2.4 | 2.4 | 360 | 935 |
|
|
IXTT360N055T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 55 | 2.4 | 2.4 | 2.4 | 2.4 | 2.4 | 360 | 935 |
|
|
IXFK360N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 360 | 1670 |
|
|
IXFX360N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 360 | 1670 |
|