IXFK360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET)

 

Блок-схема

IXFK360N10T, N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 2.9
RDS(ON) 2,7 В,мОм 2.9
RDS(ON) 2,5 В,мОм 2.9
RDS(ON) 4.5 В,мОм 2.9
RDS(ON) 10 В,мОм 2.9
ID 360
PD,Вт 1250
Корпус TO-264
Datasheet
 
IXFx360N10T (182.9 Кб), 19.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFx360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) (182.9 Кб), 19.01.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 586
Дата публикации: 19.01.2012 12:15
Дата редактирования: 19.01.2012 12:16


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019