Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXFX360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET)

 

Блок-схема

IXFX360N10T, N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 100
RDS(ON) 1.8 В,мОм 2.9
RDS(ON) 2,7 В,мОм 2.9
RDS(ON) 2,5 В,мОм 2.9
RDS(ON) 4.5 В,мОм 2.9
RDS(ON) 10 В,мОм 2.9
ID,А 360
PD,Вт 1250
Корпус PLUS247
Datasheet
 
IXFx360N10T (182.9 Кб), 19.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFx360N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) (182.9 Кб), 19.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 603 		Дата публикации: 19.01.2012 12:13
Дата редактирования: 19.01.2012 12:15

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники