Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTP1N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 0.75 | 40 |
TO-220 |
|
IXTA1N80 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 0.75 | 40 |
|
|
IXTA1R4N100P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.4 | 63 |
|
|
IXTT1N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.5 | 60 |
|
|
IXTH1N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 11000 | 1.5 | 60 |
|
|
BST82 | N-канальный полевой транзистор | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 10000 | - | 0.19 | 0.83 |
SOT-23-3 |
|
IXTY1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
TO-252 |
|
IXTP1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
TO-220AB |
|
IXTA1R6N100D2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 1.6 | 100 |
|
|
TN2535 | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 350 | - | - | - | 10000 | 10000 | 1 | 1.6 |
SOT-89 |
|
BSS123W | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 10000 | 6000 | 0.17 | 0.2 |
SOT-23-3 |
|
BSS123A | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Diodes Incorporated |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | 10000 | 6000 | 0.17 | 0.36 |
SOT-23-3 |
|
CPC3710C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 0.22 | 1.6 |
SOT-89 |
|
IXTY1R4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 1.4 | 50 |
TO-252 |
|
IXTU1R4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 1.4 | 50 |
|
|
IXTP1R4N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 9000 | 1.4 | 50 |
TO-220 |
|
IXTN5N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 5 | 700 |
|
|
IXTX5N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 5 | 960 |
|
|
IXTK5N250 | Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 2500 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 8800 | 5 | 960 |
|
|
TN2540N8-G | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | Supertex, Inc. |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | 8000 | 8000 | 0.75 | 1.6 |
SOT-89 |