Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
MAX15024B | 16нс, одноканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN | Maxim Integrated |
Ключи и драйверы MOSFET |
- | 1 | - | - | - | - | - | - | 8 | - |
|
|
MAX15024A | 16нс, одноканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN | Maxim Integrated |
Ключи и драйверы MOSFET |
- | 1 | - | - | - | - | - | - | 8 | - |
|
|
TSM20N50CZ | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 18 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 300 | 18 | - |
TO-220 |
|
FDM15-06KC5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 | 15 | - |
|
|
TSM20N50CI | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 500 В, 18 А | Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 300 | 18 | - |
|
|
FMD15-06KC5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 | 15 | - |
|
|
FDM47-06KC5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerDyn) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | 47 | - |
|
|
FMD47-06KC5 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора, со встроенным быстрым диодом (HiPerDyn) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 | 47 | - |
|
|
IXTD110N25T-8W | Trench Gate Power MOSFET Die | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 24 | 110 | - |
|
|
IXKF40N60SCD1 | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 41 | - |
|
|
NTUD3171PZ | Small Signal MOSFET ?20 V, ?200 mA, Dual P?Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT?963 Package | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 2 | -20 | 3400 | - | 2000 | - | - | -200 | -125 |
|
|
NTK3139P | Power MOSFET ?20 V, ?780 mA, Single P?Channel with ESD Protection, SOT?723 | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 700 | - | - | 380 | - | -0.78 | -0.45 |
|
|
NTK3142P | Small Signal MOSFET ?20 V, ?280 mA, P?Channel with ESD Protection, SOT?723 | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 6100 | - | - | 2900 | - | -0.26 | -0.4 |
|
|
NTZS3151P | Small Signal MOSFET ?20 V, ?950 mA, P?Channel SOT?563 | ON Semiconductor |
MOSFET |
P | 1 | -20 | 195 | - | - | 120 | - | -0.86 | -0.17 |
|
|
STFW3N150 | N-channel 1500 V - 6 ? - 2.5 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | - | - | - | - | 1100 | 2.5 | 0 |
|
|
STFW4N150 | N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | - | - | - | - | 5000 | 4 | 0 |
|
|
STFW4N150 | N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | - | - | - | - | 5000 | 4 | 0 |
|
|
STFW4N150 | N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-3PF | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | - | - | - | - | 5000 | 4 | 0 |
|
|
STP8NM60FP | N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 ?, 8 A MDmesh™ Power MOSFET TO-220FP | STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | - | 900 | 8 | 0 |
|
|
ZVN2120G | SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 10000 | 0.32 | 0.002 |
SOT-223-4 |