IXTD110N25T-8W Trench Gate Power MOSFET Die

 

Блок-схема

IXTD110N25T-8W, Trench Gate Power MOSFET Die

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 250
RDS(ON) 10 В,мОм 24
ID 110
Корпус Die
Datasheet
 
IXTD110N25T-8W (130.7 Кб), 19.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTD110N25T-8W Trench Gate Power MOSFET Die (130.7 Кб), 19.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 1013 Дата публикации: 19.02.2009 13:19
Дата редактирования: 19.02.2009 13:22


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019