Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
FDBL0065N40 | N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 300 А | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 0.65 | 300 | 429 |
|
|
IXTA300N04T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 40 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 300 | 480 |
|
|
NTMFS5C410NL | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 40 В | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 1.3 | 0.9 | 302 | 139 |
|
|
IXFN360N15T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 310 | 1070 |
SOT-227 |
|
NVMFS5C410NL | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 40 В | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 1.3 | 0.9 | 315 | 167 |
|
|
IXFT320N10T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 320 | 1000 |
|
|
IXFH320N10T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 320 | 1000 |
|
|
2N7002KA | N-channel TrenchMOS FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 3800 | 2800 | 320 | 0.83 |
SOT-23-3 |
|
IXTN320N10T | N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 320 | 680 |
SOT-227 |
|
IXFK320N17T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 170 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 320 | 1670 |
|
|
IXFX320N17T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 170 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 5.2 | 320 | 1670 |
|
|
IXFH320N10T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 320 | 1000 |
|
|
IRF2804S-7P | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1.6 | 320 | 330 |
D2-PAK |
|
BSH111 | N-channel enhancement mode field-effect transistor | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | 2400 | 2300 | - | 335 | 0.83 |
SOT-23-3 |
|
NTMFS5C404NL | N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 30 В | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 1 | 0.75 | 339 | 167 |
|
|
IXFN340N06 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 60 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 340 | 700 |
|
|
IXFN340N07 | HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET | ISSI |
MOSFET |
N | 1 | 70 | - | - | - | - | 4 | 340 | 700 |
SOT-227 |
|
IXFH340N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 340 | 935 |
|
|
IXFT340N075T2 | N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 75 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 340 | 935 |
|
|
IXFN340N07 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 70 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 340 | 700 |
SOT-227 |