FDBL0065N40 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 300 А

 

Блок-схема

FDBL0065N40, N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 300 А

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 40
RDS(ON) 10 В,мОм 0.65
ID 300
PD,Вт 429
Корпус H-PSOF

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Максимально допустимая рабочая температура перехода +175°C
  • Обладают на 10-85% большей плотностью мощности при соответствии требованиям стандарта IPC-9592
  • Самое низкое значение сопротивления открытого канала RDS(ON) и лучший показатель добротности FOM, повышающие КПД прибора
  • Увеличенная в три раза наработка на отказ
  • Сниженная в три раза интенсивность отказов

Область применения:

  • Киловаттные источники питания
  • Солнечные инверторы
  • Мощные электроинструменты
  • Авиационные приборы
  • Вилочные погрузчики, поезда и сельскохозяйственное оборудование
  • Сетевые источники питания малого форм-фактора
Datasheet
 
FDBL0065N40 (486.6 Кб), 21.07.2015

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

FDBL0065N40 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 40 В, 300 А (486.6 Кб), 21.07.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 454
Дата публикации: 21.07.2015 09:38
Дата редактирования: 21.07.2015 09:41


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019