+ AT25DF041A, 4 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись
 

AT25DF041A 4 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись

 

Блок-схема

AT25DF041A, 4 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись
Увеличить

Группа компонентов

Serial Flash

Основные параметры

Объем памяти,Мбит 4
Организация: Разрядов,бит 8
Страница,Байт 256
Блок,кБайт 4
Интерфейс SPI
F (макс.),МГц 70
VCC от 2.3 до 3.6
ICC(READ),мА 10
ICC(WRITE),мА 12
ICC(STB),мкА 25
TA,°C от -40 до 85
Корпус SOIC-8 SOIC (EIAJ) 8 UDFN-8

Общее описание

Отличительные особенности

  • Единое напряжение питания 2.3...3.6 В или 2.7...3.6 В
  • Последовательный SPI-совместимый интерфейс
    • Поддержка режимов 0 и 3
    • Максимальная рабочая частота: 70 МГц (2.7-вольтовая версия) или 50 МГц (2.3-вольтовая версия)
  • Гибкий режим стирания
    • Стирание блоком по 4 Кбайт
    • Стирание блоком по 32 Кбайт
    • Стирание блоком по 64 Кбайт
    • Стирание всей памяти
  • Индивидуальная защита сектора от записи/стирания с функций глобальной установки/снятия защиты
    • Один верхний сектор размером 16 Кбайт
    • Два сектора по 8 Кбайт
    • Один сектор размером 32 Кбайт
    • Семь секторов по 64 Кбйат
  • Аппаратно управляемая блокировка защищенных секторов посредством вывода WP
  • Гибкий режим записи
    • Побайтная или постраничная (от 1 до 256 байт) запись
    • Режим последовательной записи
  • Высокая скорость записи и стирания
    • Типовое время записи страницы (256 байт): 1.2 мс
    • Типовое время стирания блока по 4 Кбайт: 50 мс
    • Типовое время стирания блока по 32 Кбайт: 250 мс
    • Типовое время стирания блока по 64 Кбайт: 400 мс
  • Автоматический режим определения и сигнализации ошибок записи/стирания
  • Соответствующий стандарту JEDEC метод чтения идентификатора (ID) устройства и производителя
  • Малая мощность потребления
    • Ток потребления в режиме чтения (при частоте 20 МГц): 7 мА (тип.)
    • Ток потребления в режиме глубоко пониженного потребления (Deep Power-Down): 15 мкА (тип.)
  • Износостойкость: 100.000 циклов запись/стирание
  • Срок хранения данных: 20 лет
  • Поддерживает полный диапазон промышленных температур (-40...+85°C)
  • Промышленно стандартные "зеленые" (не содержат свинца и галогенов, отвечают требованиям RoHS) корпуса
    • 8-выводные SOIC шириной 150 mil (стандарт JEDEC) и 208 mil (стандарт EIAJ)
    • Безвыводной, с 8-ю контактными площадками UDFN (5 х 6 х 0.6 мм)
Datasheet
 
AT25DF041A (802.3 Кб), 25.12.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

AT25DF041A 4 Mb последовательная Flash-память с интерфейсом SPI и минимальным напряжением 2.3 В (802.3 Кб), 25.12.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 6195
Дата публикации: 06.02.2008 10:32
Дата редактирования: 31.12.2012 14:51


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019