Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
M48T08Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOH-28 |
|
AS6C2008A | Низкопотребляющая статическая память 256К х 8 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT7200L15J | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
AT24C08A Automotive | EEPROM-двух проводная серия с интерфейсом I2C объемом памяти 8кб(1024 x 8) и расширенным температурным диапазоном | Atmel Corporation |
SEEPROM |
8 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
|
K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В | Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
CY7C4245-10AXI | Синхронная FIFO организацией 4K x 18, 10 нс, -40°C...+85°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TQFP-64 |
|
AS7C4098A | Асинхронная статическая память 256Кх16 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT7201LA15TPI | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, -40°C...+85°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
AT24C64A | 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 64К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
64 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
|
CY62146ESL | Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) | Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.2 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M48Z512AY | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
AT24C02 | 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 2К | Atmel Corporation |
SEEPROM |
2 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
DIP-8 SOIC-8 |
|
IDT7200L15SO | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOIC-28 |
|
DS1249Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
256 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 |
|
CY7S1061G | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC | Cypress |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
AT24C04A Automotive | 2-х проводная SEEPROM с объемом памяти 4К и расширенным температурным диапазоном | Atmel Corporation |
SEEPROM |
4 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
|
CY7C4245-10AXC | Синхронная FIFO организацией 4K x 18, 10 нс, 0°C...+70°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 18 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
TQFP-64 |
|
AS7C4096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT7201LA15JGI | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, -40°C...+85°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M48T08 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |