Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| S30MS512P | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
| AT25DF161 | 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| IDT72V03L25J | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 2K x 9, 25 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| NAND16GW3D2A | 16Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| M25P10-A | 1Мб, 50МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
| AT88SC016 | Микросхема-компаньон защищенных запоминающих устройств (CryptoCompanion) |
|
Atmel Corporation |
Память |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
SOIC-8 |
| HY27UG088GDM | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
ULGA-52 |
| IDT7200L15JI | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 15 нс, -40°C...+85°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| KFH2G16Q2A | 2Гб (128М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| IS25LP064 | 64 Мб Flash-память с последовательным доступом, 133 МГц, счетверённый интерфейс с удвоенной скоростью передачи данных |
|
ISSI |
NOR Flash |
- | - | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
SOIC-8 |
| CY7C4221-15AXC | Синхронная FIFO организацией 1K x 9, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| IDT7201LA20SO | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOIC-28 |
| S30MS512P | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P |
|
Spansion |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
| AT25F512B | 512 кбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт или 32 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| IDT72V03L15J | 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 2K x 9, 15 нс, 0°C...+70°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| NAND16GW3C4B | 16Гбит (2 кристалла по 8Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| M25P05-A | 512Кб, 50МГц последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 TSSOP-8 |
| AT25DF041A | 4 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| HY27UG088G5M | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
|
Hynix |
NAND Flash |
- | - | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
| IDT7200L15SOGI | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 15 нс, -40°C...+85°C |
|
IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-28 |
