Компоненты группы Память
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| DS3644 | Память объемом 1КБ с программированием обработки попыток несанкционированного вмешательства | - | Maxim Integrated |
RAM |
1024 | 8 | - | -55 ... 95 |
|
| AT45DB642D | 64 Мбит, последовательная Flash память серии DataFlash®, напряжение питания 2,7 В, двойной (последовательный/параллельный) интерфейс |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
BGA-24 TSSOP-28 |
| M45PE16 | 16Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI |
|
Numonyx |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| DS1742 | Энергонезависимая SRAM с Y2K-совместимыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-24 |
| IS66WV51216ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| AT45DB011D | 2.7 В, 1 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® |
|
Adesto Technologies |
Serial Flash |
- | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| K9F2G08R0A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| IS61NLP51236 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 18Мб 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| AS7C32096A | Асинхронная статическая память 256Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| KFH1G16Q2M | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память |
|
Samsung Electronics |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
| DS1245W | Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб и напряжением питания 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| BH616UV8011 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61VF25618A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 18 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| CY7C4261-10JXI | Синхронная FIFO организацией 16K x 9, 10 нс, -40°C...+85°C |
|
Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| NAND02GR3B2C | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
|
Numonyx |
NAND Flash |
- | - | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
| CAT24AA08 | Последовательная память с интерфейсом I2C объемом 8Кб |
|
ON Semiconductor |
SEEPROM |
1024 | 8 | 1.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| IS61WV10248BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AT25160A | Высокопроизводительная SEEPROM с интерфейсом SPI и объемом памяти 16К |
|
Atmel Corporation |
SEEPROM |
16 | 8 | 1.8 ... 5.5 | -40 ... 85 |
SOIC-8 |
| M5M5W816WG-85H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
| IS61VPS204818A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 36Мб 2Мх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 18 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
