Компоненты группы Стабилитроны
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
BZT52B2V7S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 2.7 | 5 | 100 | 1 | 564 | 1 | 18 | 150 |
|
|
TSZU52C2V4 | Стабилитрон мощностью 0.15 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.15 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 100 | 125 |
|
|
BZX79C2V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2 | 5 | 100 | 1 | 600 | 1 | 150 | 175 |
|
|
BZT55C3V9 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.9 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 2 | 175 |
|
|
BZS55C3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 4 | 150 |
|
|
1N4730G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.9 | 64 | 9 | 1 | 400 | 1 | 50 | 200 |
|
|
UDZS4V3B | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 4.3 | 5 | 90 | 1 | 600 | 1 | 2.7 | 150 |
|
|
BZV55B2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 50 | 175 |
|
|
BZT52B3V9 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.9 | 5 | 90 | 1 | 564 | 1 | 2.7 | 150 |
|
|
LLZ5226B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.3 | 20 | 28 | 0.25 | 1600 | 1 | 25 | 200 |
|
|
BZX79B3V9 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.9 | 5 | 90 | 1 | 600 | 1 | 10 | 200 |
|
|
1N5224B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.8 | 20 | 30 | 0.25 | 1400 | 1 | 75 | 200 |
|
|
BZT52B2V4S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 2.4 | 5 | 100 | 1 | 564 | 1 | 45 | 150 |
|
|
MMSZ5223B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5%, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 20 | 30 | 0.25 | 1300 | 1 | 75 | 150 |
|
|
TSZU52C2V2 | Стабилитрон мощностью 0.15 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.15 | 2.2 | 5 | 100 | 1 | 600 | 1 | 100 | 125 |
|
|
BZT55C3V6 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.6 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 2 | 175 |
|
|
BZS55C2V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 10 | 150 |
|
|
BXZ55C5V6 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 5.6 | 5 | 25 | 1 | 450 | 1 | 0.1 | 200 |
|
|
1N4729G | Стабилитрон мощностью 1 Вт | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 3.6 | 69 | 10 | 1 | 400 | 1 | 100 | 200 |
|
|
UDZS3V9B | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD | Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 3.9 | 5 | 90 | 1 | 600 | 1 | 2.7 | 150 |
|