Компоненты группы Стабилитроны
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MTZJ2V4B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 4% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.53 | 5 | 100 | 0.5 | 1000 | 1 | 120 | 200 |
|
| 1N5222B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.5 | 20 | 30 | 0.25 | 1250 | 1 | 100 | 200 |
|
| LLZ5222B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.5 | 20 | 30 | 0.25 | 1250 | 1 | 100 | 200 |
|
| MMSZ5222B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5%, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.5 | 20 | 30 | 0.25 | 1250 | 1 | 100 | 150 |
|
| MTZJ2V4A | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе, допуск 3.9% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.425 | 5 | 100 | 0.5 | 1000 | 1 | 120 | 200 |
|
| BZS55C2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 50 | 150 |
|
| MMSZ5221B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5%, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 20 | 30 | 0.25 | 1200 | 1 | 100 | 150 |
|
| 1N5221B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 20 | 30 | 0.25 | 1200 | 1 | 100 | 200 |
|
| BZT52B2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 100 | 1 | 564 | 1 | 45 | 150 |
|
| LLZ5221B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 20 | 30 | 0.25 | 1200 | 1 | 100 | 200 |
|
| BZX79B2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 100 | 1 | 600 | 1 | 100 | 200 |
|
| BZT55C2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 50 | 175 |
|
| BZT55B2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 50 | 175 |
|
| LLZ2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 100 | - | - | 1 | 120 | 200 |
|
| BZX55C2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 50 | 200 |
|
| BZT52C2V4S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 2.4 | 5 | 100 | 1 | 564 | 1 | 45 | 150 |
|
| BZX55B2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2%, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 50 | 200 |
|
| BZT52C2V4K | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 2.4 | 5 | 100 | 1 | 1000 | 1 | 120 | 150 |
|
| BZV79C2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 100 | 1 | 600 | 1 | 100 | 200 |
|
| TSZL52C2V4 | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 100 | 125 |
|
