Компоненты группы Стабилитроны
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | PD Вт |
VZ (ном.) В |
IZT мА |
ZZT (макс.) Ом |
IZK мА |
ZZK (макс.) Ом |
VRRM В |
IR (макс.) мкА |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BZV55B3V0 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 4 | 175 |
|
| LLZ5228B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.9 | 20 | 23 | 0.25 | 1900 | 1 | 10 | 200 |
|
| BZY55C2V7 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 10 | 150 |
|
| BZS55B2V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 10 | 150 |
|
| 1N5226B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.3 | 20 | 28 | 0.25 | 1600 | 1 | 25 | 200 |
|
| BZT52B3V0S | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 3 | 5 | 100 | 1 | 564 | 1 | 9 | 150 |
|
| MMSZ5224B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5%, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.8 | 20 | 30 | 0.25 | 1400 | 1 | 75 | 150 |
|
| TSZU52C2V7 | Стабилитрон мощностью 0.15 Вт, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.15 | 2.7 | 5 | 83 | 1 | 500 | 1 | 75 | 125 |
|
| BZX79C2V2 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.2 | 5 | 100 | 1 | 600 | 1 | 150 | 175 |
|
| BZT55C4V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.3 | 5 | 75 | 1 | 600 | 1 | 1 | 175 |
|
| BZS55C3V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.3 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 2 | 150 |
|
| 1N4731G | Стабилитрон мощностью 1 Вт |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 1 | 4.3 | 58 | 9 | 1 | 400 | 1 | 10 | 200 |
|
| UDZS4V7B | Стабилитрон мощностью 0.2 Вт, корпус SMD |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.2 | 4.7 | 5 | 80 | 1 | 500 | 1 | 2.7 | 150 |
|
| BZV55B2V7 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.7 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 10 | 175 |
|
| BZT52B4V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.3 | 5 | 90 | 1 | 564 | 1 | 2.7 | 150 |
|
| LLZ5227B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3.6 | 20 | 24 | 0.25 | 1700 | 1 | 15 | 200 |
|
| BZY55C2V4 | Стабилитрон мощностью 1.3 Вт, допуск 5% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 50 | 150 |
|
| BZX79B4V3 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в корпусе, герметично капсулированном стеклом |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 4.3 | 5 | 90 | 1 | 600 | 1 | 5 | 200 |
|
| BZS55B2V4 | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт, допуск 2% |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 2.4 | 5 | 85 | 1 | 600 | 1 | 50 | 150 |
|
| 1N5225B | Стабилитрон мощностью 0.5 Вт в капсулированном стеклом корпусе |
|
Taiwan Semiconductor |
Стабилитроны |
1 | 0.5 | 3 | 20 | 29 | 0.25 | 1600 | 1 | 50 | 200 |
|
