Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 50 51 52 53 54  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRF7750 HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 2 20 - - 55 30 - 4.7 1 TSSOP-8
IRLI3615 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - 95 85 14 45 TO-220
IRFR3607PBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 75 - - - - 9 56 140 D-PAK
IRF540NS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 44 33 3.8 D2-PAK
IRLSL3034PbF 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - 1.6 1.4 343 375 TO-262
IRLU8203 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 9 6.8 110 140 I-PAK
IRFU3418 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 80 - - - - 14 70 140 I-PAK
IRLTS6342TRPBF Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - 22 - 17.5 - 8.3 2 TSOP-6
IRLTS2242TRPBF Однокристальный p-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 20В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 -20 - 55 - 32 - -6.9 2 TSOP-6
Страницы: предыдущая 1 ... 50 51 52 53 54  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019