Главная » Документация » Дискретные компоненты » Транзисторы » MOSFET

IRLTS6342TRPBF Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6)

Блок-схема

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность	N
Каналов,шт	1
V_DS,В	30
R_DS(ON) 2,5 В,мОм	22
R_DS(ON) 4.5 В,мОм	17.5
I_D,А	8.3
P_D,Вт	2
Корпус	TSOP-6

Общее описание

Однокристальный дискретный n-канальный полевой транзистор, выполненный по технологии HEXFET. Транзистор рассчитан на напряжение 30В. Транзисторы семейства соответствуют спецификации RoHS и не содержат свинца, бромистых и галоидных соединений. Транзисторы могут применяться в широком спектре приложений.

Отличительные особенности:

Корпус TSOP-6 (Micro 6)
Максимальное напряжение сток-исток 30В
Максимальное напряжение затвор-сток ±12В
Максимальное сопротивление открытого канала при напряжении 2.5В 22мОм
Максимальное сопротивление открытого канала при напряжении 4.5В 17.5мОм
Максимальный ток стока 8.3А при температуре 25°C
Максимальный ток стока 6.7А при температуре 70°C
Полный уровень заряда на затворе 11нКл
Уровень заряда перехода затвор - исток 4.6нКл
Тепловое сопротивление 62.5°C/Вт
Рассеиваемая мощность 2Вт при внешней температуре 25°C
Не содержит свинца
Корпус предназначен для поверхностного монтажа

Области применение:

Коммутаторы нагрузки

Datasheet

IRLTS6342TRPBF (252.8 Кб), 10.05.2012

Производитель

International Rectifier (IRF)

Где купить

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IRLTS6342TRPBF Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) (252.8 Кб), 10.05.2012

Автор документа: Варламов, http://www.rtcs.ru
Кол-во просмотров: 1584

Дата публикации: 10.05.2012 10:41
Дата редактирования: 10.05.2012 10:43

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск