Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 54 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IRLML2803 Транзистор с логическим уровнем управления International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 400 250 1.2 0.54 SOT-23-3
IRFTS9342TRPBF Однокристальный p-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
 P 1 -30 - - - 66 40 -5.8 2 TSOP-6
IRLTS2242TRPBF Однокристальный p-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 20В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
 P 1 -20 - 55 - 32 - -6.9 2 TSOP-6
IRFTS8342TRPBF Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 29 19 8.2 2 TSOP-6
IRLTS6342TRPBF Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - 22 - 17.5 - 8.3 2 TSOP-6
IRF6713 Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 25 - - - 3.5 2.2 22 2.2 DirectFET-SQ
IRF6717 Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 25 - - - 1.6 0.95 38 2.8 DirectFET-MX
AUIRFN8403 N-канальный силовой HEXFET MOSFET-транзистор в автомобильном исполнении, 40 В, корпус PQFN 5 x 6 E International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 40 - - - - 3.3 123 4.3 PQFN 5x6
IRF6718 N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L2 package International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 25 - - - 1 0.5 61 4.3 DirectFET-Large Can
IRF6721STR1PBF N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 8.5 5.1 14 2.2 DirectFET-SQ
IRF6725MTR1PBF N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 2.4 1.7 28 2.8 DirectFET-MX
IRF6721STRPBF N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 8.5 5.1 14 2.2 DirectFET-SQ
IRF6725MTRPBF N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 2.4 1.7 28 2.8 DirectFET-MX
IRF6722MTR1PBF N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 8 4.7 13 2.3 DirectFET-MP
IRF6726MTR1PBF N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 1.9 1.3 32 2.8 DirectFET-MT
IRF6722MTRPBF N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 8 4.7 13 2.3 DirectFET-MP
IRF6726MTRPBF N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 1.9 1.3 32 2.8 DirectFET-MT
IRF6722STR1PBF N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 8 4.7 13 2.2 DirectFET-ST
IRF6727MTR1PBF N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 1.84 1.22 32 2.8 DirectFET-MX
IRF6722STRPBF N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
 N 1 30 - - - 8 4.7 13 2.2 DirectFET-ST
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 54 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники