Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 54 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
AUIRFN8403 N-канальный силовой HEXFET MOSFET-транзистор в автомобильном исполнении, 40 В, корпус PQFN 5 x 6 E International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 3.3 123 4.3 PQFN 5x6
IRF1010E HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 12 81 170 TO-220AB
IRF1010EL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 12 81 170 TO-262
IRF1010ES HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 12 84 170 D2-PAK
IRF1010EZ HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 8.5 84 140 TO-220AB
IRF1010EZL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 8.5 84 140 TO-262
IRF1010EZS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 8.5 84 140 D2-PAK
IRF1010NL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 11 60 180 TO-262
IRF1010NS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 11 60 180 D2-PAK
IRF1010Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 7.5 94 140 TO-220AB
IRF1010ZL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 7.5 94 140 TO-262
IRF1010ZS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 7.5 94 140 D2-PAK
IRF1018EPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 8 79 110 TO-220AB
IRF1018ESLPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 8 79 110 TO-262
IRF1018ESPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 8 79 110 D2-PAK
IRF1104 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 9 100 170 TO-220AB
IRF1104L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 9 100 170 TO-262
IRF1104S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 9 100 170 D2-PAK
IRF1302 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - - - 4 180 230 TO-220AB
IRF1302L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 20 - - - - 4 174 200 TO-262
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 54 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Кабель в Краснодаре

Мероприятия:


Семинар по решениям Analog Devices в области аналоговой электроники
XIII Международная специализированная выставка
Передовые Технологии Автоматизации. ПТА-Урал 2017