Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 50 51 52 53 54  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRLZ44NS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - 35 22 47 110 D2-PAK
IRLZ44Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - 22.5 13.5 51 80 TO-220AB
IRLZ44ZL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - 22.5 13.5 51 80 TO-262
IRLZ44ZS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - 22.5 13.5 51 80 D2-PAK
RFB4127PbF 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 200 - - - - 17 76 375 TO-220AB
SI3443DV HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 20 - - 90 65 - 4.4 2 TSOP-6
SI4410DY HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 20 13.5 10 2.5 SOIC-8
SI4420DY HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 13 9 12.5 2.5 SOIC-8
SI4435DY HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
P 1 30 - - - 35 20 8 2.5 SOIC-8
Страницы: предыдущая 1 ... 50 51 52 53 54  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019