Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
M48Z58Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
|
M5M51008D-55H | 1Мб SRAM (128К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M5M51008D-70H | 1Мб SRAM (128К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5256D-55L | 256Кб SRAM (32К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M5M5256D-70 | 256Кб SRAM (32К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 3 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5V108D-70H | 1 Mb SRAM (128К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5V208AKV-55H | 2 Mb SRAM (256К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5V208AKV-70H | 2 Mb SRAM (256К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5V216ATP-55H | 2 Mb SRAM (128К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5V216ATP-70H | 2 Mb SRAM (128К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M5M5W816WG-55H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
|
M5M5W816WG-70H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
|
M5M5W816WG-85H | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
CSP-48 |
|
M5M5W817KT-70HI | 8 Mb SRAM (512К x 16 бит/ 1М х 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
MB85R4M2T | Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объёмом 4 Мбит с параллельным интерфейсом, совместимая с низковольтной памятью SRAM | Fujitsu Microelectronics |
FRAM |
256 | 16 | 1.8 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
MB85RC64V | Сегнетоэлектрическая оперативная память (FRAM) объемом 64 Кбит с интерфейсом I2C | Fujitsu Microelectronics |
FRAM |
8 | 8 | 3 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PSOP-8 |
|
MB85RDP16LX | Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM) объемом 16 Кбит со сверхнизким энергопотреблением и интегрированной функцией счётчика | Fujitsu Microelectronics |
FRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 1.95 | -40 ... 105 |
|
|
MB85RS1MT | Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM), объемом 1 Мбит, последовательным интерфейсом SPI в 8-выводном корпусе WL-CSP | Fujitsu Components |
FRAM |
131 | 8 | 1.8 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
MB85RS2MT | Сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) объёмом 2 Мб с интерфейсом SPI | Fujitsu Components |
FRAM |
256 | 8 | 1.8 ... 3.6 | -40 ... 85 |
DIP-8 |
|
MR0A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит | Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|