Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
TC58NVM9S3CTA00 | 64М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 2112 | 132 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
TC58NVM9S3CBAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 2112 | 132 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
TC58NVG1S3CTA00 | 256М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2112 | 132 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
TC58NVG1S3CBAJX | 256М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2112 | 132 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
TC58NVG0S3CTA00 | 128М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2112 | 132 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
TC58NVG0S3CBAJ5 | 128М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2112 | 132 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
TC58DVM92A3TA00 | 64М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 528 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
TC58DVM92A3BAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 528 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
TC58DVG02A3TA00 | 128М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 528 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
4 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
S34SL02G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
2 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
S34SL01G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 1 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
1 | 64 | 2048 | 128 | 25 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
S30MS512R | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
S30MS512R | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |