Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
CSD16321Q5C | N-канальный силовой MOSFET DualCool™ NexFET™ | Texas Instruments |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 2.1 | - | 100 | 3.1 |
|
|
CSD16321Q5 | N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs | Texas Instruments |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 2.1 | - | 100 | 3.1 |
|
|
CSD16301Q2 | N-канальный силовой MOSFET NexFET™ | Texas Instruments |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 23 | - | 5 | 2.3 |
|
|
CPC5603 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 415 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 0.13 | 2.5 |
SOT-223-4 |
|
CPC5602 | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 0.13 | 1.6 |
SOT-223-4 |
|
CPC3730C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 30000 | 0.14 | 1.6 |
SOT-89 |
|
CPC3720C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 22000 | 22000 | 22000 | 22000 | 22000 | 0.13 | 1.6 |
SOT-89 |
|
CPC3714C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 350 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 14000 | 0.24 | 1.6 |
SOT-89 |
|
CPC3710C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 0.22 | 1.6 |
SOT-89 |
|
CPC3703C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 4000 | 4000 | 4000 | 4000 | 4000 | 0.36 | 1.6 |
SOT-89 |
|
BUZ32H3045A | SIPMOS™ Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 300 | 9.5 | 75 |
TO-263-3 |
|
BUZ31H3045A | SIPMOS™ Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 160 | 14.5 | 95 |
TO-263-3 |
|
BUZ30AH3045A | SIPMOS™ Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 130 | 21 | 125 |
TO-263-3 |
|
BUK9Y40-55B | N-channel TrenchMOS logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 34 | - | 26 | 59 |
|
|
BUK9Y3R0-40E | N-канальный MOSFET-транзистор, 40 В, совместимый с логическим уровнем сигналов и выполненный в корпусе LFPAK-56 | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 3 | - | 100 | 194 |
|
|
BUK9Y30-75B | N-channel TrenchMOS logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | 25 | - | 34 | 85 |
|
|
BUK9Y19-55B | N-channel TrenchMOS logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 16.3 | - | 46 | 85 |
|
|
BUK9Y14-40B | N-channel TrenchMOS logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 12 | - | 56 | 85 |
|
|
BUK7Y13-40B | N-channel TrenchMOS logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 11 | - | 58 | 85 |
|
|
BTF3050TE | Транзисторные ключи нижнего плеча семейства HITFET™ с функцией защиты | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 5 | - | - | - | 100 | - | 3 | - |
|