+ BUK9Y19-55B, N-channel TrenchMOS logic level FET
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

BUK9Y19-55B N-channel TrenchMOS logic level FET

 

Блок-схема

BUK9Y19-55B, N-channel TrenchMOS logic level FET

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 55
RDS(ON) 4.5 В,мОм 16.3
ID,А 46
PD,Вт 85
Корпус SOT-669

Общее описание

Отличительные особенности

  • Корпус с низкой индуктивностью и малым температурным сопротивлением
  • Размеры аналогичны копусу SO8, но значительно тоньше, чем SO8 и DPAK
  • Безпроволочная распайка кристалла
  • Высокая стойкость к выбросам тока
  • 100% тестирование на лавинный пробой, выдерживают лавинный пробой при максимальной температуре перехода
  • Соответствуют автомобильному стандарту AEC-Q101 при температуре 175°C
  • Возможность оптического контроля распайки выводов
Datasheet
 
BUK9Y19-55B (188.9 Кб), 14.12.2009

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

BUK9Y19-55B N-channel TrenchMOS logic level FET (188.9 Кб), 14.12.2009



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 958 		Дата публикации: 14.12.2009 14:53
Дата редактирования: 14.12.2009 14:55

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники