+ BUK9Y3R0-40E, N-канальный MOSFET-транзистор, 40 В, совместимый с логическим уровнем сигналов и выполненный в корпусе LFPAK-56
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

BUK9Y3R0-40E N-канальный MOSFET-транзистор, 40 В, совместимый с логическим уровнем сигналов и выполненный в корпусе LFPAK-56

 

Блок-схема

BUK9Y3R0-40E, N-канальный MOSFET-транзистор, 40 В, совместимый с логическим уровнем сигналов и выполненный в корпусе LFPAK-56

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 40
RDS(ON) 4.5 В,мОм 3
ID,А 100
PD,Вт 194
Корпус PowerSO-8

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Максимальное напряжение сток-исток VDS: 40 В
  • Максимальный ток стока ID: 100 А
  • Максимальная мощность рассеивания Ptot: 194 Вт
  • Сопротивление открытого канала RDS(ON): 3 мО (макс.) при VGS = 5 D
  • Заряд затвора QGD: 10.7 нКл
  • Рабочая температура перехода TJ: от -55°C lj +175°C
  • Сертифицирован на соответствие требованиям стандарта AEC-Q101 для автомобильных приложений
  • Способен выдерживать повторные лавинные пробои

Область применения:

  • Автомобильные системы с напряжением питания 12 В
  • Системы управление двигателями, освещением и соленоидами
  • Микрогибридные схемы для пуска-останова двигателя
  • Управление трансмиссией
  • Сверхвысокопроизводительные импульсные источники питания
Datasheet
 
BUK9Y3R0-40E (319.6 Кб), 21.07.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

BUK9Y3R0-40E N-канальный MOSFET-транзистор, 40В, совместимый с логическим уровнем сигналов и выполненный в корпусе LFPAK-56 (319.6 Кб), 21.07.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 660 		Дата публикации: 21.07.2015 07:45
Дата редактирования: 21.07.2015 07:48

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники