Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
BSZ014NE2LS5IF | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 2.1 | 1.45 | 40 | 69 |
|
|
BSZ023N04LS | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 40 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 3.2 | 2.35 | 40 | 69 |
|
|
BSZ042N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 40 А | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4.2 | 40 | 69 |
|
|
BSZ0501NSI | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 2.5 | 2 | 40 | 50 |
|
|
BSZ0506NS | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 5.3 | 4.4 | 40 | 27 |
|
|
BSZ097N10NS5 | MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 9.7 | 40 | 69 |
|
|
BSZ160N10NS3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 100 В, 40 А, 16 мОм | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 16 | 40 | 63 |
|
|
BSZ520N15NS3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 150 В, 21 А, 52 мОм | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 52 | 21 | 57 |
|
|
BTF3050TE | Транзисторные ключи нижнего плеча семейства HITFET™ с функцией защиты | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 5 | - | - | - | 100 | - | 3 | - |
|
|
BUK7Y13-40B | N-channel TrenchMOS logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 11 | - | 58 | 85 |
|
|
BUK9Y14-40B | N-channel TrenchMOS logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 12 | - | 56 | 85 |
|
|
BUK9Y19-55B | N-channel TrenchMOS logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 16.3 | - | 46 | 85 |
|
|
BUK9Y30-75B | N-channel TrenchMOS logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | 25 | - | 34 | 85 |
|
|
BUK9Y3R0-40E | N-канальный MOSFET-транзистор, 40 В, совместимый с логическим уровнем сигналов и выполненный в корпусе LFPAK-56 | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 3 | - | 100 | 194 |
|
|
BUK9Y40-55B | N-channel TrenchMOS logic level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | 34 | - | 26 | 59 |
|
|
BUZ30AH3045A | SIPMOS™ Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 130 | 21 | 125 |
TO-263-3 |
|
BUZ31H3045A | SIPMOS™ Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 160 | 14.5 | 95 |
TO-263-3 |
|
BUZ32H3045A | SIPMOS™ Power-Transistor | Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 300 | 9.5 | 75 |
TO-263-3 |
|
CPC3703C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 4000 | 4000 | 4000 | 4000 | 4000 | 0.36 | 1.6 |
SOT-89 |
|
CPC3710C | N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения | Clare |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 | 0.22 | 1.6 |
SOT-89 |