Компоненты группы Диоды
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Кол-во диодов | VRRM В |
IF(AV) А |
VF (макс.) В |
IR (макс.) мкА |
IFSM (макс.) А |
trr нс |
TJ (макс.) °C |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| V12P10 | Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 100 | 12 | 0.7 | 250 | 200 | - | 150 |
|
| V10P10 | Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 100 | 10 | 0.68 | 150 | 180 | - | 150 |
|
| V10D60C | Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS® |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 60 | 10 | 0.5 | 700 | 100 | - | 150 |
|
| V10D45C | Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS® |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 45 | 10 | 0.41 | 500 | 100 | - | 150 |
|
| V10D120C | Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS® |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 120 | 10 | 0.64 | 500 | 100 | - | 150 |
|
| V10D100C | Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS® |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 100 | 10 | 0.6 | 500 | 100 | - | 150 |
|
| V10150S | Высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
1 | 150 | 10 | 1.2 | 150 | 120 | - | 150 |
TO-220AB |
| V10150C | Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный Trench MOS ограничительный диод Шотки |
|
Vishay |
Диоды Шоттки |
2 | 150 | 10 | 1.3 | 200 | 60 | - | 150 |
TO-220AB |
| US1M | Диод с высокоэффективным восстановлением в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 1000 | 1 | 1.7 | 5 | 30 | 75 | 150 |
|
| US1K | Диод с высокоэффективным восстановлением в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 800 | 1 | 1.7 | 5 | 30 | 75 | 150 |
|
| US1J | Диод с высокоэффективным восстановлением в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 600 | 1 | 1.7 | 5 | 30 | 75 | 150 |
|
| US1G | Диод с высокоэффективным восстановлением в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 400 | 1 | 1 | 5 | 30 | 50 | 150 |
|
| US1D | Диод с высокоэффективным восстановлением в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 200 | 1 | 1 | 5 | 30 | 50 | 150 |
|
| US1B | Диод с высокоэффективным восстановлением в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 100 | 1 | 1 | 5 | 30 | 50 | 150 |
|
| US1A | Диод с высокоэффективным восстановлением в корпусе для поверхностного монтажа, 1 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Сверхбыстрые Диоды |
1 | 50 | 1 | 1 | 5 | 30 | 50 | 150 |
|
| UR4KB80 | Выпрямительные диодные мосты в капсулированном стеклом корпусе, 4 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 800 | - | 1 | - | 135 | - | 150 |
|
| UR4KB60 | Выпрямительные диодные мосты в капсулированном стеклом корпусе, 4 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 600 | - | 1 | - | 135 | - | 150 |
|
| UR4KB100 | Выпрямительные диодные мосты в капсулированном стеклом корпусе, 4 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 1000 | - | 1 | - | 135 | - | 150 |
|
| UR3KB80 | Выпрямительные диодные мосты в капсулированном стеклом корпусе, 3 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 800 | - | 1 | - | 90 | - | 150 |
|
| UR3KB60 | Выпрямительные диодные мосты в капсулированном стеклом корпусе, 3 А |
|
Taiwan Semiconductor |
Диодные Мосты |
4 | 600 | - | 1 | - | 90 | - | 150 |
|
