+ V12P10, Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

V12P10 Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа

 



Блок-схема

V12P10, Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа

Группа компонентов

Диоды Шоттки

Основные параметры

Кол-во диодов 1
VRRM,В 100
IF(AV),А 12
VF (макс.),В 0.7
IR (макс.),мкА 250
IFSM (макс.),А 200
TJ (макс.),°C 150
Корпус TO-277A

Общее описание

  • Trench MOS диод Шотки
  • Низкопрофильный корпус - типовая высота 1.1 мм
  • Идеален для автоматического позиционирования на печатной плате
  • Малое падение прямого напряжения, малая потеря мощности
  • Высокая эффективность
  • Температура при пайки на выводах 260°C, в соответствии MSL level 1, J-STD-020
  • Бессвинцовая технология
  • Не содержит галогенов
Datasheet
 
V12P10 (106.7 Кб), 25.11.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

V12P10 Сильноточный Trench MOS ограничительный диод Шотки в корпусе для поверхностного монтажа (106.7 Кб), 25.11.2008



Автор документа: Дмитрий Гаврилюк, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 937 		Дата публикации: 25.11.2008 19:46
Дата редактирования: 25.11.2008 19:47

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники