+ V10D45C, Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS®
 

V10D45C Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS®

 



Блок-схема

V10D45C, Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS®

Группа компонентов

Диоды Шоттки

Основные параметры

Кол-во диодов 2
VRRM 45
IF(AV) 10
VF (макс.) 0.41
IR (макс.),мкА 500
IFSM (макс.) 100
TJ (макс.),°C 150
Корпус TO-263CA

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS
  • Малое падение прямого напряжения, малые потери мощности
  • Высокая эффективность
  • Низкопрофильный корпус TO-263AC (SMPD), высота корпуса: 1.7 мм (тип.)
  • Адаптирован под автоматический монтаж на печатную плату
  • Максимальная рабочая температура перехода 150°C
  • Допустимый уровень влажности MSL 1
  • Отвечает требованиям RoHS
Datasheet
 
V10D45C (122.3 Кб), 06.02.2014

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

V10D45C Сдвоенный ограничительный диод Шоттки, выполненный по технологии Trench MOS TMBS® (122.3 Кб), 06.02.2014




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 662
Дата публикации: 06.02.2014 09:30
Дата редактирования: 06.02.2014 12:47


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019