Главная > Документация > Дискретные компоненты > Транзисторы

Компоненты группы IGBT-транзисторы

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
V_CES (В)
Рабочий ток: I_C (А)
Рабочий ток: При T_C (°C)
V_CE(sat) (В)
t_d(on) (тип.) (нс)
t_r (тип.) (нс)
t_d(off) (тип.) (нс)
t_f (тип.) (нс)
E_ON (тип.) (мДж)
E_OFF (тип.) (мДж)
P_D (Вт)
FWD
T_A (°C)	От до
Корпус

Страницы: предыдущая 1 ... 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	V_CES В	Рабочий ток		V_CE(sat) В	t_d(on) (тип.) нс	t_r (тип.) нс	t_d(off) (тип.) нс	t_f (тип.) нс	E_ON (тип.) мДж	E_OFF (тип.) мДж	P_D Вт	FWD	T_A °C	Корпус
Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	V_CES В	I_C А	При T_C °C	V_CE(sat) В	t_d(on) (тип.) нс	t_r (тип.) нс	t_d(off) (тип.) нс	t_f (тип.) нс	E_ON (тип.) мДж	E_OFF (тип.) мДж	P_D Вт	FWD	T_A °C	Корпус

IXBT16N170A	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	10	90	6	15	28	220	150	2	2.6	150	Да	-55 ... 150	TO-268
IXBT16N170	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	16	90	3.3	37	183	235	705	-	-	250	Да	-55 ... 150	TO-268
IXBT12N300	Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	3000	12	110	2.8	65	395	175	530	-	-	160	Да	-55 ... 150	TO-268
IXBT10N170	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	10	90	3.4	35	28	600	1200	0.7	8	140	Да	-55 ... 150	TO-268
IXBR42N170	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	32	90	2.9	36	188	330	740	-	-	200	Да	-55 ... 150	SOT-227 B
IXBP5N160G	Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1600	3.5	90	4.9	140	200	120	70	-	-	68	Да	-55 ... 150	TO-220AB
IXBN75N170A	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 42А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	42	90	4.95	27	38	420	175	-	6.35	625	Да	-55 ... 150	TO-247
IXBN75N170	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 75А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	75	90	2.6	47	230	260	580	-	-	625	Да	-55 ... 150	TO-247
IXBN42N170A	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 42А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	21	90	4.5	25	38	300	120	5	6	312	Да	-55 ... 150	SOT-227 B
IXBL64N250	Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 46А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	2500	46	110	2.5	54	578	222	175	-	-	500	Да	-55 ... 150	ISOPLUS_i5
IXBK75N170A	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 65А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	65	90	4.95	27	38	420	175	-	6.35	1040	Да	-55 ... 150	TO-264
IXBK75N170	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 75А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	75	110	2.6	47	230	260	580	-	-	1040	Да	-55 ... 150	TO-264
IXBK64N250	Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 64А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	2500	64	100	2.5	54	578	222	175	-	-	735	Да	-55 ... 150	TO-264
IXBK55N300	Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 55А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	3000	55	110	2.7	52	585	215	260	-	-	625	Да	-55 ... 150	TO-264
IXBH9N160G	Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 9А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1600	5	90	4.9	140	200	120	70	-	-	100	Да	-55 ... 150	TO-247
IXBH6N170	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 6А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	6	90	2.84	35	69	100	600	-	-	75	Да	-55 ... 150	TO-247
IXBH5N160G	Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 5.7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1600	3.5	90	4.9	140	200	120	70	-	-	68	Да	-55 ... 150	TO-247
IXBH42N170A	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 42А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	21	90	4.5	25	38	300	120	5	6	350	Да	-55 ... 150	TO-247
IXBH42N170	Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 42А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1700	42	90	2.8	36	188	330	740	-	-	360	Да	-55 ... 150	TO-247
IXBH40N160	Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 33А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)		IXYS	IGBT	1600	20	90	6.2	200	60	270	40	-	-	350	Да	-55 ... 150	TO-247

Страницы: предыдущая 1 ... 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 следующая

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск