IXBT16N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET)
Блок-схема Группа компонентов IGBTОсновные параметры
|
Поставки и консультации:
Тел: (812) 325 3685
Тел: (812) 786 8579 (факс)
|
Datasheet
IXBx16N170A Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) (51.9 Кб), 17.02.2012
Автор документа: Жанна Свирина,
|
Дата публикации: 17.02.2012 11:33 Дата редактирования: 17.02.2012 11:34 |