Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы LDMOS транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 12 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В		 P1dB
дБм		 POUT
Вт		 Gain (тип.)
дБ		 µD
%		 Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц		 F (макс.)
МГц
                           
MRF6S18060NBR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1800 2000 26 47.8 60 15 50 Да TO-272WB-4
MRF6S18060NR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1800 2000 26 47.8 60 15 50 Да TO-270WB-4
MRF6S19140HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1930 1990 28 51.5 29 16 27.5 Да NI-880
MRF6S19140HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1930 1990 28 51.5 29 16 27.5 Да NI-880S
MRF6S20010GNR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1600 2200 28 40 1 15.5 15 Да TO-270G-2
MRF6S20010NR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1600 2200 28 40 1 15.5 15 Да TO-270-2
MRF6S24140H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2400 2500 28 51.5 140 13.2 45 Да NI-880
NI-880S
MRF6S27015GNR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2300 2700 28 41.8 3 14 22 Да TO-270-2GULL
MRF6S27015NR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2300 2700 28 41.8 3 14 22 Да TO-270-2
MRF6V10010NR4 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 960 1400 50 40 10 25 69 Да PLD--1.5W
MRF6V12250H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 960 1215 50 54.4 275 20.3 65.5 Да NI-780
NI-780S
MRF6V12500H Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 960 1215 50 57 500 19.7 62 Да NI-780H-2L
NI-780S-2L
MRF6V13250H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 960 1500 50 54 250 22.7 57 Да NI-780
NI-780S
MRF6V14300H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1200 1400 50 55.2 330 18 60.5 Да NI-780
NI-780S
MRF6V2010N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 10 450 50 40 10 23.9 62 Да TO-270-2
TO-272-2
MRF6V2150N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 10 450 50 51.8 150 25 68.3 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRF6V2300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 10 600 50 54.8 300 25.5 68 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRF6V3090N Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 470 860 50 49.5 18 22 28.5 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRF6V4300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 10 600 50 54.8 300 22 60 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRF6VP11KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1.8 150 50 60 1000 26 71 Да NI-1230-4
NI-1230S-4GULL
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 12 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники