Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
MW7IC2425N | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | 44 | 25 | 27.7 | 43.8 | Да |
|
|
MW7IC2725N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | 44 | 4 | 28.5 | 17 | Да |
|
|
MW7IC915NT1 | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
865 | 895 | 28 | 41.9 | 1.6 | 38 | 17.4 | Да |
|
|
MW7IC930N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
920 | 960 | 28 | 44.9 | 3.2 | 35.9 | 16.5 | Да |
|
|
MWE6IC9080N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
865 | 960 | 28 | 49.5 | 80 | 28.5 | 52.3 | Да |
|
|
MWE6IC9100NBR1 | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
865 | 960 | 26 | 50.5 | 100 | 33.5 | 54 | Да |
|