Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
MW7IC2425N Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2400 2500 28 44 25 27.7 43.8 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MW7IC2725N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 44 4 28.5 17 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MW7IC915NT1 Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 895 28 41.9 1.6 38 17.4 Да PQFN 8x8
MW7IC930N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 44.9 3.2 35.9 16.5 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MWE6IC9080N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 960 28 49.5 80 28.5 52.3 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
MWE6IC9100NBR1 Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 960 26 50.5 100 33.5 54 Да TO-272WB-14
Страницы: предыдущая 1 ... 8 9 10 11 12  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019