Компоненты группы Serial Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Объем памяти (Мбит)
Организация: Разрядов (бит)
Страница (Байт)
Блок (кБайт)
Буфер RAM (Байт)
Интерфейс
F (макс.) (МГц)
VCC (В) От до
ICC(READ) (мА)
ICC(WRITE) (мА)
ICC(STB) (мкА)
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Объем памяти
Мбит
Организация Страница
Байт
Блок
кБайт
Буфер RAM
Байт
Интерфейс F (макс.)
МГц
VCC
В
ICC(READ)
мА
ICC(WRITE)
мА
ICC(STB)
мкА
TA
°C
Корпус
Разрядов
бит
                                   
AT25DF081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
8 8 256 4 - SPI
66 1.65 ... 1.95 9 12 25 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-11
AT25DF041A 4 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
4 8 256 4 - SPI
70 2.3 ... 3.6 10 12 25 -40 ... 85 SOIC-8
SOIC (EIAJ) 8
UDFN-8
AT25DF021 2 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.3 В, поблочное стирание (4 кБайт, 32 кБайт или 64 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
2 8 256 4 - SPI
66 2.3 ... 3.6 10 12 25 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
AT25BCM512B 512 кбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 кБайт или 32 кБайт), побайтная или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
0.5 8 256 4 - SPI
70 2.7 ... 3.6 10 10 25 -40 ... 85 UDFN-8
Страницы: предыдущая 1 2  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019