Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
CY62136FV30 | Статическая память объемом 2Mb | Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 45 | 1.6 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
IS65WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 70 | 20 | 50 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
|
IS64WV102416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 10 | 140 | 600 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
|
IS64LV6416L | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 10 | 115 | 500 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
IS64LPS25636A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 36 | 3.5 | 300 | 130 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
|
IS61C5128AS | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 25 | 20 | 200 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
CY62128EV30 | Статическая память 128К х 8 семейства MoBL® | Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 45 | 1.3 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 12 | 55 | 300 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
CY62128E | Статическая память 128К х 8 | Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 45 | 1.3 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
IS64VF25618A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 | ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 18 | 6.5 | 175 | 900 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
|
CY62126EV30 | Статическая память 64К х 16 | Cypress |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 45 | 1.3 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
IS64WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 10 | 140 | 700 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
IS64C1024AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128х8 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 35 | 40 | 450 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
IDT71256S | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) | IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 20 | 150 | 20 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
PDIP-28 |
|
1645РУ4 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит) | Миландр |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 30 | 150 | 5000 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
5134.64-6 |
|
IS64VF12836A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 36 | 7.5 | 175 | 900 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
|
1645РУ3 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 4 Мбит (256К x 16 бит) | Миландр |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 20 | 120 | 1000 | 3 ... 3.6 | -60 ... 125 |
Н18.64-3B |
|
IS65C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 | ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 35 | 15 | 10 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
|
1645РУ2 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов | Миландр |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 55 | 160 | 3000 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
|
IS64WV51216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 10 | 140 | 600 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|