Компоненты группы SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 25 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
CY62136FV30 Статическая память объемом 2Mb Cypress Low Power SRAM
128 16 45 1.6 1 2.2 ... 3.6 -40 ... 125 TSOPII-44
VFBGA-48
IS65WV12816ALL Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 ISSI High Speed SRAM
128 16 70 20 50 1.65 ... 2.2 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IS64WV102416BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 ISSI High Speed SRAM
1024 16 10 140 600 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 TSOPI-48
BGA-48
IS64LV6416L Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кх16 ISSI High Speed SRAM
64 16 10 115 500 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IS64LPS25636A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 ISSI High Speed SRAM
256 36 3.5 300 130 2.7 ... 3.6 -40 ... 125 TQFP-100
IS61C5128AS Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 25 20 200 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-36 (400mil)
SOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
TSOPII-44
CY62128EV30 Статическая память 128К х 8 семейства MoBL® Cypress Low Power SRAM
128 8 45 1.3 1 2.2 ... 3.6 -40 ... 125 SOIC-32
TSOP-32
IS61C5128AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 12 55 300 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-36 (400mil)
SOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
TSOPII-44
CY62128E Статическая память 128К х 8 Cypress Low Power SRAM
128 8 45 1.3 1 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOIC-32
TSOP-32
IS64VF25618A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 ISSI High Speed SRAM
256 18 6.5 175 900 2.375 ... 2.75 -40 ... 125 TQFP-100
CY62126EV30 Статическая память 64К х 16 Cypress Low Power SRAM
64 16 45 1.3 1 2.2 ... 3.6 -40 ... 125 TSOPII-44
VFBGA-48
IS64WV10248ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 ISSI High Speed SRAM
1024 8 10 140 700 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IS64C1024AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128х8 ISSI High Speed SRAM
128 8 35 40 450 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-32
TSOPI-32
IDT71256S Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
32 8 20 150 20 4.5 ... 5.5 -55 ... 125 PDIP-28
DIP-28
PLCC-32
SOJ-28 (300mil)
1645РУ4 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит) Миландр High Speed SRAM
1024 16 30 150 5000 3 ... 3.6 -60 ... 125 5134.64-6
IS64VF12836A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 128Кх36 ISSI High Speed SRAM
128 36 7.5 175 900 2.375 ... 2.75 -40 ... 125 TQFP-100
1645РУ3 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 4 Мбит (256К x 16 бит) Миландр High Speed SRAM
256 16 20 120 1000 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н18.64-3B
IS65C6416AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 ISSI High Speed SRAM
64 16 35 15 10 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-44
TSOPII-44
1645РУ2 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов Миландр High Speed SRAM
8 8 55 160 3000 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 4119.28-6
IS64WV51216BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 ISSI High Speed SRAM
512 16 10 140 600 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 25 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019