Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
M48T128Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z129V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
M48T512V | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z512A | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.75 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M48T128V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z129Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z512AY | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
M48Z512AV | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
M48T129Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48T129V | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z128 | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
DS3065WP | Энергонезависимая память SRAM объемом 8МБ с питанием 3.3В и встроенными часами реального времени, позволяет организовать законченный блок ОЗУ 1Mx8 | Maxim Integrated |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
MB85RC64V | Сегнетоэлектрическая оперативная память (FRAM) объемом 64 Кбит с интерфейсом I2C | Fujitsu Microelectronics |
FRAM |
8 | 8 | 3 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PSOP-8 |
|
IDT7200L50TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 50 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
IDT7201LA20TP | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
IDT7200L15TPI | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 15 нс, -40°C...+85°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT7201LA15TP | Асинхронная FIFO организацией 512 x 9, 15 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
IDT7200L35TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 35 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
IDT7200L12TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 12 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
IDT7200L25TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 25 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|