Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
S30ML256P | 256Мбит (32М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 512 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
K9HBG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TLGA-52 TSOPI-48 |
|
K9LAG08U0M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
S30ML512P | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 512 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
HY27UG162G5A | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
2 | 16 | 1024 | 64 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
FBGA-63 |
|
K9L8G08U1A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
|
K9G4G08U0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
K9G4G08B0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.5 ... 2.9 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
4 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
HY27UF162G2A | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
NAND08GW3B2A | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
S34SL02G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 2 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
2 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|
|
HY27UF082G2A | 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
NAND04GW3B2B | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
HY27UF161G2A | 1 Гбит (64М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
HY27UF081G2A | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
NAND02GW3B2C | 2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
HY27US16122B | 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
NAND01GW3B2B | 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
HY27US08122B | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |