Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
K9F5608U0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 WSOPI-48 |
|
TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
NAND01GW3A2B | 1Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
1 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
|
|
NAND01GW4A2B | 1Гбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
1 | 16 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
|
|
S30ML256P | 256Мбит (16М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.256 | 16 | 512 | 512 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
NAND512R4A2C | 512Мбит 1.8-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 16 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
S30ML512P | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 512 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
S30ML128P | 128Мбит (16М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.128 | 8 | 512 | 512 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
NAND256W3A | 256Мбит 3-вольтовая NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
S30ML128P | 128Мбит (8М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.128 | 16 | 512 | 512 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
NAND512W3A2C | 512Мбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
S30ML512P | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 512 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
S30ML256P | 256Мбит (32М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 512 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
NAND512R3A2C | 512Мбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
NAND512W4A2C | 512Мбит 3-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |