Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
KFH4G16Q2A | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFG1216U2A | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND512R4A2C | 512Мбит 1.8-вольтовая 16-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 16 | 50 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 15 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
KFG1G16U2C | 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
1 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
TC58DVM92A3BAJW | 64М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 528 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9F5608D0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.4 ... 2.9 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
KFG1216Q2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 FBGA-67 |
|
KFG1216U2B | 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 FBGA-67 |
|
TC58CVG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
MT29H32G08 | 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
32 | 8 | 4096 | 512 | 6 | - | - | 2.7 ... 3.6 | - | 0 ... 70 |
TBGA-100 |
|
K9HBG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TLGA-52 TSOPI-48 |
|
HY27UH08AGDM | 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 45 | 0 ... 70 |
TLGA-52 |
|
K9WAG08U1A | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TLGA-52 TSOPI-48 |
|
HY27US08281A | 128 Мбит (16М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
0.128 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 20 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 USOPI-48 |