Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
KFH8GH6U4M | 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 16 | 4096 | 512 | 76 | 4 | Demux | 2.7 ... 3.6 | 55 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9F8G08B0M | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 8 | 4096 | 256 | 25 | - | - | 2.5 ... 2.9 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
K9K8G08U1A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
|
KFH8GH6Q4M | 8Гбит (512М х 16 бит) Flex-OneNAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 16 | 4096 | 512 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 50 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFW8G16Q2M | 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
KFK8G16Q2M | 8Гб (512М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Mux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
MT29F8G08FAC | 8Гбит (1024М х 8 бит) 3-вольтовая NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
NAND04GW3C2B | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 256 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
KFW4G16Q2A | 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 16 | 2048 | 128 | 76 | 4 | Demux | 1.7 ... 1.95 | 30 | -30 ... 85 |
FBGA-63 |
|
HY27UF084G2M | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
MT29F4G08AAA | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
TC58CYG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
HY27UF164G2B | 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
4 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
HY27UF084G2B | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
K9G4G08U0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
NAND04GW3B2D | 4Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
K9G4G08B0A | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.5 ... 2.9 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
NAND04GR3B2D | 4Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 45 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
|
S34SL04G2 | Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи | Cypress |
NAND Flash |
4 | 64 | 2048 | 128 | 30 | - | ONFI | 2.7 ... 3.6 | 32 | -40 ... 85 |
|