Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
|
NAND02GR3B2D | 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 45 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
K9F5608R0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 1.65 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
MT29F1G08ABB | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash | Micron |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 50 | - | - | 1.65 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
NAND08GW3B2C | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
S30ML512P | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P | Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 512 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
|
K9F8G08U0M | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 8 | 4096 | 256 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
|
TC58NVG0S3CBAJ5 | 128М х 8 бит NAND FLASH | Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2112 | 132 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 |
|
HY27US08121B | 512 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 16 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
HY27UH08AG5B | 16 Гбит (2Г х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 40 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
NAND32GW3D4A | 32Гбит (2 кристалла по 16Гбит) 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
32 | 8 | 4096 | 512 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
S30MS01GP | 1Гбит (128М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-P | Spansion |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
FBGA-137 TSOPI-48 |
|
K9LAG08U0M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит | Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
|
HY27UF081G2A | 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | 128 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
FBGA-63 TSOPI-48 USOPI-48 |
|
NAND02GW3B2D | 2Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
K9F5608D0D | 256 Мбит (64М х 8 бит) NAND Flash | Samsung Electronics |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 16 | 50 | - | - | 2.4 ... 2.9 | 20 | -40 ... 85 |
FBGA-63 TSOPI-48 |
|
S30MS04GR | 4Гбит (512М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30MS-R | Spansion |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 40 | -25 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
HY27UF084G2B | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash | Hynix |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
|
NAND08GR3B4C | 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash | Numonyx |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 45 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |