Компоненты группы NAND Flash
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Объем памяти Гбит |
Конфигурация бит |
Страница Байт |
Блок кБайт |
Время выборки нс |
Буфер RAM кБайт |
Интерфейс | VCC В |
ICC мА |
TA °C |
Корпус | |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
![]() ![]() |
||
HY27UF164G2B | 4 Гбит (256М х 16 бит) NAND Flash |
![]() |
Hynix |
NAND Flash |
4 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
K9MCG08U5M | 32 Гбит (4096М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
32 | 8 | 2048 | 256 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
S30ML256P | 256Мбит (32М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
![]() |
Spansion |
NAND Flash |
0.256 | 8 | 512 | 512 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
NAND08GW3B4C | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
![]() |
Numonyx |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
TC58CVG2S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 4 Гбит |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
4 | 8 | 4096 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
K9HBG08U1M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TLGA-52 TSOPI-48 |
S30ML512P | 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
![]() |
Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 16 | 512 | 512 | 50 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
NAND08GR3B4C | 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
![]() |
Numonyx |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 45 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
TC58CYG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
HY27UF084G2B | 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Hynix |
NAND Flash |
4 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |
K9LAG08U0M | 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
16 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
S30ML512P | 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P |
![]() |
Spansion |
NAND Flash |
0.512 | 8 | 512 | 512 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 35 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 VFBGA-55 |
NAND08GW3B2C | 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash |
![]() |
Numonyx |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 ULGA-52 |
TC58CVG1S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 2 Гбит |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
2 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 3 ... 3.3 | - | -40 ... 85 |
|
HY27UG162G5A | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash |
![]() |
Hynix |
NAND Flash |
2 | 16 | 1024 | 64 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
FBGA-63 |
K9L8G08U1A | 8 Гбит (1024М х 8 бит) NAND Flash |
![]() |
Samsung Electronics |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 256 | 30 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
MT29H32G08 | 32Гбит (4096М х 8 бит) High Speed NAND Flash |
![]() |
Micron |
NAND Flash |
32 | 8 | 4096 | 512 | 6 | - | - | 2.7 ... 3.6 | - | 0 ... 70 |
TBGA-100 |
NAND08GR3B2C | 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash |
![]() |
Numonyx |
NAND Flash |
8 | 8 | 2048 | 128 | 45 | - | - | 1.7 ... 1.95 | 20 | -40 ... 85 |
ULGA-52 |
TC58CYG0S3H | NAND FLASH память с последовательным интерфейсом SPI, одноуровневой структурой ячеек и доступным объёмом 1 Гбит |
![]() |
Toshiba |
NAND Flash |
1 | 8 | 2048 | - | - | - | SPI | 1.675 ... 1.8 | - | -40 ... 85 |
|
HY27UF162G2B | 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash |
![]() |
Hynix |
NAND Flash |
2 | 16 | 2048 | 128 | 25 | - | - | 2.7 ... 3.6 | 30 | 0 ... 70 |
TSOPI-48 |