Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BLF7G22LS-130 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2000 | 2200 | 28 | - | 130 | 18.5 | 32 | Да |
|
| BLF7G22L-130 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2000 | 2200 | 28 | - | 130 | 18.5 | 32 | Да |
|
| BLS6G2933S-130 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2900 | 3300 | 32 | - | 130 | 12.5 | 47 | Да |
|
| BLL6H0514LS-130 | Силовые LDMOS-транзисторы |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
500 | 1400 | 50 | - | 130 | 10 | 54 | Да |
|
| MRF6VP2600HR6 | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2 | 500 | 50 | 57.8 | 125 | 25 | 28.5 | Да |
NI-1230 |
| MRFE6VP8600H | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | 57.8 | 125 | 19.3 | 30 | Да |
NI-1230 NI-1230S |
| SD57120 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 120 | 14 | 60 | Да |
|
| BLS6G2731S-120 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 120 | 13.5 | 48 | Да |
|
| BLS6G2731-120 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 120 | 13.5 | 48 | Да |
|
| SD56120M | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 860 | 32 | - | 120 | 13 | 50 | Да |
|
| BLS6G3135S-120 | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
3100 | 3500 | 32 | - | 120 | 11 | 43 | Да |
|
| BLS6G3135-120 | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
3100 | 3500 | 32 | - | 120 | 11 | 43 | Да |
|
| BLF6G20LS-110 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 28 | - | 110 | 19 | 32 | Да |
|
| BLF6G20-110 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 28 | - | 110 | 19 | 32 | Да |
|
| BLP05H6110XR | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 600 | 50 | - | 110 | 27 | 75 | Да |
|
| BLS7G2325L-105 | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2500 | 30 | - | 105 | 16.5 | 55 | Да |
|
| MRFE6VP100H | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1.8 | 2000 | 50 | 50 | 100 | 27.2 | 70 | Да |
|
| BLF8G24LS-100GV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 100 | 19 | 32 | Да |
|
| BLF8G24LS-100V | Силовой LDMOS-транзистор | - | NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 100 | 19 | 32 | Да |
|
| AFV09P350-04GNR3 | Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
720 | 960 | 48 | 53 | 100 | 19.5 | 48.5 | Да |
|
