Компоненты группы IGBT Модули

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
IF(FWD) (А)
Кол-во ключей
Конфигурация
VISO (В)
NTC
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 11 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
IF(FWD)
А
Кол-во ключей Конфигурация VISO
В
NTC TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                           
MDI200-12A4 IGBT модуль 1200В, 270А IXYS IGBT Модули
1200 180 80 2.2 100 50 650 24.2 21 1130 200 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MID200-12A4 IGBT модуль 1200В, 270А IXYS IGBT Модули
1200 180 80 2.2 100 50 650 24.2 21 1130 200 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MDI150-12A4 IGBT модуль 1200В, 180А IXYS IGBT Модули
1200 120 80 2.2 100 70 500 15 11.5 760 130 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MID150-12A4 IGBT модуль 1200В, 180А IXYS IGBT Модули
1200 120 80 2.2 100 70 500 15 11.5 760 130 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MDI145-12A3 IGBT модуль 1200В, 160А IXYS IGBT Модули
1200 110 80 2.2 100 60 600 16 15 700 95 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y4-M5
MID145-12A3 IGBT модуль 1200В, 160А IXYS IGBT Модули
1200 110 80 2.2 100 60 600 16 15 700 95 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y4-M5
MIXA81H1200EH IGBT модуль 1200В, 120А, конструкция XPT (Xtreme light Punch Through) IXYS IGBT Модули
1200 84 80 1.8 70 40 250 6.8 8.3 390 90 1 Полный мост
3000 Да -40 ... 125 E3-Pack
MIXA80R1200VA BB (Boost - Brake) IGBT модуль 1200В, 120А, конструкция XPT (Xtreme light Punch Through) IXYS IGBT Модули
1200 84 80 1.9 70 40 250 6.8 8.3 390 90 1 Одиночный ключ + последовательный диод
3600 Нет -40 ... 125 V1-A-Pak
MDI100-12A3 IGBT модуль 1200В, 135А IXYS IGBT Модули
1200 90 80 2.2 100 50 650 12.1 10.5 560 95 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y4-M5
MID100-12A3 IGBT модуль 1200В, 135А IXYS IGBT Модули
1200 90 80 2.2 100 50 650 12.1 10.5 560 95 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y4-M5
MDI75-12A3 IGBT модуль 1200В, 90А IXYS IGBT Модули
1200 60 80 2.2 100 70 500 7.6 5.6 370 60 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y4-M5
MIXA600AF650TSF XPT™ IGBT-модуль на 650 В, 2x720 А IXYS IGBT Модули
650 490 80 1.8 90 50 100 6 22.8 1750 340 2 Общий анод
3000 Да -40 ... 175 SimBus F
MIXA600CF650TSF XPT™ IGBT-модуль на 650 В, 2x720 А IXYS IGBT Модули
650 490 80 1.8 90 50 100 6 22.8 1750 340 2 Общий катод
3000 Да -40 ... 175 SimBus F
MII75-12A3 IGBT модуль 1200В, 90А IXYS IGBT Модули
1200 60 80 2.2 100 70 500 7.6 5.6 370 60 2 Phase-Leg
4800 Нет -40 ... 150 Y4-M5
MIXA600PF650TSF XPT™ IGBT-модуль на 2x650 В, 720 А IXYS IGBT Модули
650 490 80 1.8 30 50 100 6 22.8 1750 340 2 Полумост
3000 Да -40 ... 175 SimBus F
VII130-06P1 IGBT модуль 600В, 121А, корпус ECO-PAC 2 IXYS IGBT Модули
600 83 80 2.3 25 11 150 0.8 2.3 379 82.3 2 Phase-Leg
3000 Да -40 ... 150 ECO-PAC 2
GT50JR22 Силовые IGBT-транзисторы для инверторов сетевого напряжения - Toshiba IGBT Модули
600 50 - 1.65 250 80 370 - - 76 40 2 - - Да -55 ... 150 TO-3P
GT50JR21 Силовые IGBT-транзисторы для инверторов сетевого напряжения - Toshiba IGBT Модули
600 50 - 1.5 260 80 310 - - 76 40 2 - - Да -55 ... 150 TO-3P
IXA40PG1200DHGLB XPT IGBT модуль 1200В, 63А, поверхностный монтаж IXYS IGBT Модули
1200 45 80 1.85 70 40 250 3.8 4.1 230 27 2 Phase-Leg
2500 Нет -55 ... 125 ISOPLUS-SMPD
IXA30PG1200DHGLB XPT IGBT модуль 1200В, 43А, поверхностный монтаж IXYS IGBT Модули
1200 30 80 1.9 70 40 250 2.5 3 150 27 2 Phase-Leg
2500 Нет -55 ... 125 ISOPLUS-SMPD
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 11 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019