MDI75-12A3 IGBT модуль 1200В, 90А

 

Блок-схема

MDI75-12A3, IGBT модуль 1200В, 90А

Группа компонентов

IGBT Модули

Основные параметры

VCES 1200
Рабочий ток: IC 60
Рабочий ток: При TC,°C 80
VCE(sat) 2.2
td(on) (тип.),нс 100
tr (тип.),нс 70
td(off) (тип.),нс 500
EON (тип.),мДж 7.6
EOFF (тип.),мДж 5.6
PD,Вт 370
IF(FWD) 60
Кол-во ключей 1
Конфигурация Чоппер
VISO 4800
NTC Нет
TA,°C от -40 до 150
Корпус Y4-M5

Общее описание

Особенности:

  • Vces: от 600В до 1200В
  • Ic(25): от 90A до 420A
  • NPT и NPT³ IGBT:
    • низкое Vce(sat)
    • малые потери переключения
    • прямоугольная область безопасной работы RBSOA
    • устойчивость к режиму К.З.
    • допустимо параллельное включение (положительный температурный коэфициент)
    • короткий "хвост" тока, оптимально для резонансных схем
  • Ультра-быстрые диоды с мягким восстановлением
  • Корпус с DCB-изолированным медным теплоотводом, напряжение до 2500Vrms
Datasheet
 
Mxx75-12A3 (108.6 Кб), 03.05.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

Mxx75-12A3 IGBT модуль 1200В, 90А (108.6 Кб), 03.05.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 722
Дата публикации: 03.05.2012 08:03
Дата редактирования: 03.05.2012 08:04


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019