Компоненты группы High Speed SRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| W26010A | Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 16 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 15 | 260 | 50 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
|
| IS61LPS51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.6 | 600 | 125 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| K6R4008V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 90 | 5 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS71024 | Асинхронная статическая память объемом 1.5Мб (64Kx24) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
64 | 24 | 8 | 190 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS62WV12816BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 45 | 40 | 10 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61NVF12836A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 128Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 36 | 6.5 | 180 | 750 | 2.375 ... 2.75 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS61WV6416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 12 | 60 | 75 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61LPS25672A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх72 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 72 | 2.6 | 600 | 125 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 65 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| GS71116A | Асинхронная память объемом 1Мб (64Kx16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 7 | 145 | 2 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 70 | 20 | 10 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS61NLF25618A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 256Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 18 | 6.5 | 180 | 750 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS61LPS25618A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 18 | 2.6 | 250 | 750 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS61LV6416 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кx16 с напряжением питания 3.3В |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 8 | 150 | 1000 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61VPS102418A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх18 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 18 | 2.6 | 500 | 125 | 2.375 ... 2.7 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| K6R4016V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 8 | 80 | 5 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| GS71108A | Асинхронная память объемом 1Mb (128Kx8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 7 | 140 | 1 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV1288BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 45 | 17 | 10 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61NLF12836A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 128Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 36 | 6.5 | 180 | 750 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
| IS61VPS51236A | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 36 | 2.6 | 600 | 125 | 2.375 ... 2.7 | -40 ... 85 |
TQFP-100 |
