Компоненты группы Low Power SRAM
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
R1LP0408C-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
LP62S2048A-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 3 | 0.5 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
|
|
CY62148E | Статическая память объемом 4Mb (512Kx8) | Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 45 | 2 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | 10 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
CY62148EV30 | Статическая память объемом 4Mb (512Kx8) | Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 45 | 2 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
R1LV0408D-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 10 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 70 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
CY62138FV30 | Статическая память объемом 2Mb (256Kx8) | Cypress |
SRAM Low Power SRAM |
256 | 8 | 45 | 1.6 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
LP62S2048A-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 3 | 0.5 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
CY62167DV30 | Статическая память объемом 16Mb (1M x 16) | Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 45 | 2 | 2.5 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
BS616LV1611 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 115 | 100 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
R1LV0816ABG-7SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит/ 1М х 8бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 70 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
CY62158DV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) | Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.5 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
R1LV0816ASB-5SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
R1LV1616R-5S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 25 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
CY62167E | Статическая память объемом 16Mb (1Mx16 / 2Mx8) | Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 45 | 2.2 | 1.5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
R1WV6416-5S | 64 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
4096 | 16 | 55 | 45 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
R1LV0808ASB-5SI | 8 Мб SRAM (1024К х 8бит) семейства Advanced LPSRAM | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 20 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |