Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 83 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXKP35N60C5 CoolMOS Power MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 - - - - 90 35 357 TO-220AB
IXTH1H100 High Voltage MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.5 60 TO-247AD
IXTT1H100 High Voltage MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 - - - - 11000 1.5 60 TO-268
IXFK40N50Q2 HiN-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 500 160 160 160 160 160 40 560 TO-264
IXFN200N06 HiPerFET Power MOSFETs IXYS MOSFET
 N 1 70 - - - - 6 200 520 SOT-227
IXFL44N60 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 130 130 130 130 130 41 500 ISOPLUS264
IXFN38N80Q2 HiPerN-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 800 220 220 220 220 220 38 735 PLUS247
IXTA15N50L2 Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA IXYS MOSFET
 N 1 500 - - - - 480 15 300 TO-263
IXTP08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-220AB
IXTY08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-252
IXTH16N10D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 100 64 64 64 64 64 16 695 TO-247
IXTT16N10D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 100 64 64 64 64 64 16 695 TO-268
IXTH16N20D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 200 73 73 73 73 73 16 695 TO-247
IXTT16N20D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 200 73 73 73 73 73 16 695 TO-268
IXTA08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-263
IXTT75N10L2 N-канальный MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 100 21 21 21 21 21 75 400 TO-268
IXTH75N10L2 N-канальный MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 100 21 21 21 21 21 75 400 TO-247
IXTF03N400 N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
 N 1 4000 300000 300000 300000 300000 300000 0.3 70 ISOPLUS_i4
IXTH03N400 N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
 N 1 4000 290000 290000 290000 290000 290000 0.3 130 TO-247
IXTV03N400S N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
 N 1 4000 290000 290000 290000 290000 290000 0.3 130 PLUS220SMD
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 83 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники