Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 83 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTL2x220N075T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 2 75 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 120 150 ISOPLUS_i5
LKK47-06C5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
 N 2 600 45 45 45 45 45 47 278 ISOPLUS264 - 5
IXTL2x240N055T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 2 55 4.4 4.4 4.4 4.4 4.4 140 150 ISOPLUS_i5
IXTL2x180N10T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 2 100 9 9 9 9 9 100 150 ISOPLUS_i5
IXTL2x200N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 2 85 6 6 6 6 6 112 150 ISOPLUS_i5
IXTU01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-251 AA
IXFX80N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 65 65 65 65 65 80 1250 PLUS247
IXTC75N10 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 20 20 20 20 20 72 230 ISOPLUS220
IXTP160N04T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 40 5 5 5 5 5 160 250 TO-220
IXFP8N50PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 800 800 800 800 800 4.4 42 TO-220-3 ISO
IXTY08N50D2 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 4600 4600 4600 4600 4600 0.8 60 TO-252
IXTA12N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 500 500 500 500 500 12 200 TO-263
IXFH15N80Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 600 600 600 600 600 15 300 TO-247AD
IXTM12N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-204AA
IXTP70N085T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 85 13.5 13.5 13.5 13.5 13.5 70 176 TO-220
IXFL82N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 80 80 80 80 80 82 625 ISOPLUS264
IXTY32P05T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -50 39 39 39 39 39 -32 83 TO-252
IXTP3N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1200 4500 4500 4500 4500 4500 3 200 TO-220
IXFT15N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 700 700 700 700 700 15 360 TO-268
IXFK88N20Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 30 30 30 30 30 88 500 TO-264AA
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 83 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники